提到存储芯片，现在主要是指DRAM内存、NAND闪存及少部分NOR闪存，内存速度极快但本钱贵，并且断电不能保存数据，NAND、NOR闪存能够保存数据，本钱也廉价，不过功能、推迟是无法跟内存比较的。
在这些存储芯片之外，业界还在开发各种新一代芯片，比方MRAM磁阻内存、ReRAM电阻式内存、PCRAM相变内存（Intel的傲腾内存便是相变存储原理），这些芯片的特点是一同交融了闪存及内存的长处，速度快、推迟低、可靠性高，一同断电也能保存数据，可是这三类芯片也有相同的缺乏，那便是容量比较小，制造困难。
想处理新一代存储芯片的出产难题，那就需求新的半导体设备，在这方面美国使用资料公司又一次走在国际前列了，日前该公司宣告推出Endura出产渠道，这中心还包含制造PCRAM及ReRAM的Endura Impulse PVD以及用来制造MRAM的Endura Clover PVD两种物理气相堆积设备，这是该公司有史以来研制的最精细的芯片制造体系。
以Endura Clover PVD为例，使用资料公司表明它由9个晶圆处理反响室组成，全都是在真空、纯洁状态下整合的，这也是业界第一个大规模量产用的300mm MRAM体系，其间每个反响室能够堆积5种不同的资料，而制造MRAM芯片至少需求30种不同的资料堆积操作，部分资料堆积层比人类的头发还要细微50万倍，到达了亚原子等级的精度，制造的完好进程极端杂乱也极端精细。
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